مدلسازی مشخصه ‏‎i-v‎‏ ترانزیستورهای ‏‎soi‎‏ معتبر در تمامی نواحی عملکرد

پایان نامه
چکیده

در این پایان نامه ، یک مدل واحد پیوسته براساس فیزیک افزاره و پتانسیل سطحی برای مشخصه ‏‎i-v‎‏ ماسفتهای تمام و نیمه تخلیه ای ‏‎soi‎‏ ارائه شده است که به طور خودکار، براساس میزان تخلیه بدنه، حالت کار افزاره را تعیین کرده و مشخصه جریان-ولتاژ را محاسبه می کند. اثرات مقیاس کوچک مانند مدولاسیون طول کانال ‏‎clm‎‏، کاهش سد پتانسیل القا شده توسط درین(‏‎dibl‎‏) ، اثرات میدانهای شدید بر روی قابلیت حرکت و اثر مقاومتهای سورس و درین نیز در مدل شامل شده اند. اثرات خودگرمایی که در افزاره های‏‎soi‎‏ خیلی بیشتر از افزاره های بالک ظاهر می شود و همچنین اثرات بدنه شناور که شامل جریان ناشی از یونیزاسیون برخوردی و جریان ناشی از عملکرد ترانزیستور دو قطبی پارازیتی است در مدل در نظر گرفته شده اند. داده های به دست آمده از مدل در مقایسه با داده های آزمایشی به دست آمده از اندازه گیری افزاره ، نشان دهنده دقیق بودن توصیف جریان درین توسط این مدل در تمامی نواحی عملکرد افزاره است.

۱۵ صفحه ی اول

برای دانلود 15 صفحه اول باید عضویت طلایی داشته باشید

اگر عضو سایت هستید لطفا وارد حساب کاربری خود شوید

منابع مشابه

بررسی عملکرد ترانزیستورهای soi-mosfet در مقیاس نانو

وقتی که ابعاد ترانزیستور به حد نانو می رسد، فرض یکنواختی توزیع چگالی حامل ها در کانال ترانزیستور نادرست می گردد. توزیع غیر یکنواخت و تصادفی ناخالصی ها در کانال ترانزیستور باعث ایجاد تغییراتی در مشخصه ترانزیستور می گردد و باعث می شود که پارامترهای ترانزیستور از جمله ولتاژ آستانه، جریان حالت خاموش و ... تا حدی غیر قابل پیش بینی گردد. عدم پیش بینی پارامترهای یک افزاره، طراحی مدارات مجتمع را با مشک...

15 صفحه اول

مهندسی ناحیه رانشی برای بهبود عملکرد ترانزیستورهای soi ldmos

چکیده : در این پایان نامه، ما یک ترانزیستور soi ldmos جدید به منظور بدست آوردن ولتاژ شکست بالا ارائه کرده ایم. ساختار پیشنهادی از چندین چاه n و p+ که به صورت پریودیک در اکسید مدفون قرار گرفته اند، شکل گرفته است. بنابراین ما ساختار پیشنهادی را ترانزیستور با چاه های چندگانه (mdw-ldmos) نامیدیم. ایده کلیدی در این کار افزایش میدان الکتریکی در لایه اکسید مدفون و بهینه کردن میدان الکتریکی در ناحیه...

بهبود آثار کانال کوتاه در ترانزیستورهای نانو soi mosfet

با پیشرفت تکنولوژی الکترونیک و کاهش ابعاد تا زیر میکرومتر و نانومتر مشکلاتی برای افزاره ها و مدارهای مجتمع پیش می آید که باید هم زمان با پیشرفت تکنولوژی سعی در بهبود این مشکلات نیز داشته باشیم. یک گام بزرگ در جهت پیشرفت علم الکترونیک استفاده از ترانزیستورهای سیلیسیم روی عایق در ساخت مدارهای مجتمع است. اما با کوچک سازی مدارهای مجتمع تا مقیاس نانومتر مشکلات مهمی برای این ترانزیستورها به وجود می آ...

آنالیز مقایسه ای روشهای بهبود اثرات کوچک سازی کانال در ترانزیستورهای SOI-MOSFET و ارائه یک تکنیک جدید

This paper critically examines the Short Channel Effects (SCEs) improvement techniques for improving the performance of SOI-MOSFETs.  Also for first time, a new device structure called the Shielded Channel Multiple-Gate SOI-MOSFET (SC-MG) is introduced and designed. Using two-dimensional and two-carrier device simulation, it is demonstrated that the SC-MG exhibits a significantly reduced the el...

متن کامل

ایجاد میکروساختار بر سطح سلول خورشیدی با تابش لیزر ایگزایمر arf ، بررسی مشخصه ی v-i

با تابش لیزر ایگزایمر بر سطح سلول خورشیدی سیلیکونی و با ایجاد میکروساختار سطحی، تغییرات مشاهده شده در پارامترهای مختلف مورد بررسی قرار گرفته است و در نهایت مشاهدهشده که بر میزان بازدهی سلول افزوده شده است.

15 صفحه اول

Unidirectional III-V microdisk lasers heterogeneously integrated on SOI.

We demonstrate unidirectional bistability in microdisk lasers electrically pumped and heterogeneously integrated on SOI. The lasers operate in continuous wave regime at room temperature and are single mode. Integrating a passive distributed Bragg reflector (DBR) on the waveguide to which the microdisk is coupled feeds laser emission back into the laser cavity. This introduces an extra unidirect...

متن کامل

منابع من

با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید

ذخیره در منابع من قبلا به منابع من ذحیره شده

{@ msg_add @}


نوع سند: پایان نامه

وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه تهران

کلمات کلیدی

میزبانی شده توسط پلتفرم ابری doprax.com

copyright © 2015-2023